光纖在拉制過程中，會產生一些無序的Si-O自由基團，極易和H生成Si - OH，造成1385nm處的水峰增加。因此各種全波光纖拉完絲后都要經過氘處理，才能夠經受得住長時間的含氫環境的侵蝕。

氘處理的原理是讓氘和Si-O自由基團形成Si-OD，吸收峰在1850nm，這樣在光纖的整個壽命期間，氫就無法取代氘的位置。氘和Si-0自由基團的反應如下：

Si-O + D2 → Si-OD

按照ITU-T G.652C/D的要求，光纖在經過氫老化后光纖的1383±3nm處的衰減系數要不低于1310nm處的衰減，才能稱作全波光纖。